Snapdragon 8 Gen 3, 24 ГБ ОЗУ, 5400 мА·ч, топовый 50-мегапиксельный сенсор Sony, 100 Вт. Подробные характеристики прототипа OnePlus 12

Инсайдер Digital Chat Station опубликовал подробный перечень характеристик прототипа смартфона OnePlus 12. У этой модели будет 24 ГБ оперативной памяти, но только в топовой версии, у вариантов попроще – 16 ГБ ОЗУ.

В основе прототипа – SoC Snapdragon 8 Gen 3. Поставщиком экрана выступит местная (китайская) компания – это будет изогнутая панель с разрешением 2К. Ее особенностью станет высокая частота регулировки ШИМ.

Обращает на себя внимание камера. Основной датчик – 50-мегапиксельный Sony IMX9xx. Будет ли это дюймовый IMX989, пока непонятно, но в любом случае сенсор топовый. В модуле со сверхширокоугольным объективом тоже будет 50-мегапиксельный датчик. Третий модуль – перископный, с 64-мегапиксельным сенсором и обеспечивающий зум 3х. Емкость аккумулятора смартфона – 5400 мА·ч. Поддерживается как проводная зарядка мощностью 100 Вт, так и беспроводная мощностью 50 Вт.

Из других особенностей – боковая металлическая рамка, ультратонкий оптический сканер отпечатков пальцев, мощный вибромотор и увеличенная испарительная камера для адекватного охлаждения SoC.

Ранее Digital Chat Station первым точно сообщил характеристики и даты выхода Redmi K50 и Xiaomi 12, а также Xiaomi 13.

Похожие записи